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参数资料
| 型号： | DDTB122TU-7 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | DDTB122TU-7 |
DS30400 Rev. 2 - 2
3 of 3
DDTB (LO-R1) U
www.diodes.com
-50
0
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100
150
250
200
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T , AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 1 Power Derating Curve
P
d
T
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U
D
O
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P
W
E
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDTC124XE-7 | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DDTB122TU-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 0.22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DDTB123EC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTB123EC-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 2.2KW 2.2KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DDTB123EC-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 2.2K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DDTB123EU | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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