参数资料
| 型号： | DG200BDJ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPST 14DIP |
| 标准包装： | 500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 85 欧姆 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±15V |
| 电流 - 电源： | 50µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 散装 |
www.vishay.com
4
Document Number: 71357
S-71155–Rev. C, 11-Jun-07
Vishay Siliconix
DG200B
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
TEST CIRCUITS
VO is the steady state output with switch on. Feedthrough via gate capacitance may result in spikes at leading and trailing edge
of output waveform.
rDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
Leakage Current vs. Temperature
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
30
20
10
r DS(on)
-
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
-55
25
45
5
-15
65
1 nA
100 pA
10 pA
-35
1 pA
85
105 125
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VS, VD = ± 14 V
IS(off), ID(off)
I
S,
I
D
-Current
Temperature (°C)
rDS(on) vs. VD and Temperature
Leakage Currents vs. Analog Voltage
85 °C
0
10
20
30
40
50
-15
- 10
-5
0
5
10
15
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
60
70
80
90
100
r DS(on)
-
-20
- 15
-10
- 5
0
5
10
15
20
40
20
0
- 20
- 40
I
S,
I
D
-Current
(pA)
IS(off), ID(off)
ID(on)
V+ = 22 V
V- = - 22 V
TA = 25 °C
30
10
- 10
- 30
Figure 2. Switching Time
50 %
0 V
3 V
tOFF
tON
VO
VS
tr < 20 ns
tf < 20 ns
Logic
Input
Switch
Input
Switch
Output
90 %
CL
35 pF
RL
1 k
Ω
VO = VS
RL + rDS(on)
RL
VS = + 5 V
VO
V-
V+
IN
S
D
3 V
- 15 V
GND
+ 15 V
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