参数资料
型号: DG212BDY-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 4 x SPST - NO
导通状态电阻: 160 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.5 V ~ 25 V,±4.5 V ~ 22 V
电流 - 电源: 10µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 标准包装
产品目录页面: 1132 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DG212BDY-T1-E3DKR
Document Number: 70040
S11-0179-Rev. J, 07-Feb-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG211B, DG212B
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
RDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
Leakage Current vs. Temperature
02468
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
VD - Drain Voltage (V)
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
250
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
- 55
25
45
5
- 15
65
1 nA
100 pA
10 pA
- 35
1 pA
85
105 125
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VS, VD = ± 14 V
IS(off), ID(off)
I S,
I D
-Current
Temperature (°C)
Leakage Currents vs. Analog Voltage
QS, QD - Charge Injection vs. Analog Voltage
- 20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
20
40
20
0
- 20
- 40
I S,
I D
-Current
(pA)
IS(off), ID(off)
ID(on)
VANALOG - Analog V oltage (V)
V+ = 22 V
V- = - 22 V
TA = 25 °C
30
10
- 10
- 30
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
Q
-
Charge
(pC)
VANALOG - Analog Voltage (V)
Off Isolation vs. Frequency
OIRR
(dB)
10K
100K
1M
10M
40
50
60
70
80
90
100
110
120
f - Frequency (Hz)
V+ = + 15 V
V- = - 15 V
RL = 50 Ω
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PDF描述
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