参数资料
| 型号： | DG213DQ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD CMOS 16TSSOP |
| 标准包装： | 360 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 110 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 40 V，±3 V ~ 22 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
DG213
Vishay Siliconix
www.vishay.com
S FaxBack 408-970-5600
4-2
Document Number: 70662
S-00787—Rev. F, 17-Apr-00
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltages Referenced to V–
V+
44 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND
25 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Digital Inputsa VS, VD
(V–) –2 V to (V+) +2 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
or 30 mA, whichever occurs first
Current, Any Terminal
30 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Current, S or D
(Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle max)
100 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature
–65 to 125
_C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Power Dissipation (Package)b
16-Pin Plastic DIPc
470 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16-Pin Narrow SOICd
640 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16-Pin TSSOPd
500 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Notes:
a.
Signals on SX, DX, or INX exceeding V+ or V– will be clamped by internal
diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b.
All leads welded or soldered to PC Board.
c.
Derate 6.5 mW/
_C above 75_C
d.
Derate 7.6 mW/
_C above 75_C
SPECIFICATIONS
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
D Suffix
–40 to 85
_C
Parameter
Symbol
V+ = 15 V, V– = –15 V
VL = 5 V, VIN = 2.4 V, 0.8 Ve
Tempa
Minc
Typb
Maxc
Unit
Analog Switch
Analog Signal Ranged
VANALOG
Full
V–
V+
V
Drain-Source On-Resistance
rDS(on)
VD = "10 V, IS = 1 mA
Room
Full
45
60
85
W
rDS(on) Match
DrDS(on)
D
, S
Room
1
2
Source Off Leakage Current
IS(off)
VS = "14 V, VD = #14 V
Room
Full
–0.5
–5
"0.01
0.5
5
A
Drain Off Leakage Current
ID(off)
VD = "14 V, VS = #14 V
Room
Full
–0.5
–5
"0.01
0.5
5
nA
Drain On Leakage Current
ID(on)
VS = VD = 14 V
Room
Full
–0.5
–10
"0.02
0.5
10
Digital Control
Input Voltage High
VINH
Full
2.4
V
Input Voltage Low
VINL
Full
0.8
V
Input Current
IINH or IINL
VINH or VINL
Full
–1
1
mA
Input Capacitance
CIN
Room
5
pF
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
VS = 10 V
SFi
2
Room
85
130
Turn-Off Time
tOFF
S
See Figure 2
Room
55
100
ns
Break-Before-Make Time Delay
tD
VS = 10 V, See Figure 3
Room
15
25
Charge Injection
Q
CL = 1000 pF, Vg= 0 V, Rg = 0 W
Room
1
pC
Source-Off Capacitance
CS(off)
VS = 0 V, f = 1 MHz
Room
5
F
Drain-Off Capacitance
CD(off)
VS = 0 V, f = 1 MHz
Room
5
pF
Channel On Capacitance
CD(on)
VD = VS = 0 V, f = 1 MHz
Room
16
Off Isolation
OIRR
CL = 15 pF, RL = 50 W
V
1 V
f
100 kH
Room
90
dB
Channel-to-Channel Crosstalk
XTALK
L
p,
L
VS = 1 VRMS, f = 100 kHz
Room
95
dB
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