参数资料
| 型号： | DG213DQ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD CMOS 16TSSOP |
| 标准包装： | 360 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 110 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 40 V，±3 V ~ 22 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
DG213
Vishay Siliconix
www.vishay.com
S FaxBack 408-970-5600
4-4
Document Number: 70662
S-00787—Rev. F, 17-Apr-00
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
0
50
100
150
200
250
300
02468
10
12
85
_C
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
0
10
20
30
40
50
–15
–10
–5
0
5
10
15
"5 V
rDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
VD – Drain Voltage (V)
"10 V
"15 V
"20 V
rDS(on) vs. VD and Temperature
VD – Drain Voltage (V)
125
_C
25
_C
–55
_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
30
20
10
60
70
80
90
100
r DS(on)
–
Drain-Source
On-Resistance
(
)
W
r DS(on)
–
Drain-Source
On-Resistance
(
)
W
rDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
VD – Drain Voltage (V)
5 V
7 V
10 V
12 V
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
40
20
0
–20
–40
Leakage Currents vs. Analog Voltage
I
S,
I
D
–
Current
(pA)
IS(off), ID(off)
ID(on)
–55
25
45
5
–15
65
1 nA
100 pA
10 pA
–35
1 pA
85
105 125
V+ = 15 V
V– = –15 V
VS, VD = "14 V
IS(off), ID(off)
I
S,
I
D
–
Current
Temperature (
_C)
Leakage Current vs. Temperature
r DS(on)
–
Drain-Source
On-Resistance
(
)
W
VANALOG – Analog Voltage (V)
V+ = 22 V
V– = –22 V
TA = 25_C
30
10
–10
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
30
20
10
0
–10
–20
–30
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
Q
–
Charge
(pC)
QS, QD – Charge Injection vs. Analog Voltage
VANALOG – Analog Voltage (V)
V– = 0 V
VL = 5 V
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