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参数资料
| 型号： | DG221BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST/CMOS 16SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 90 欧姆 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±15V |
| 电流 - 电源： | 800µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DG221B
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71616
S-03627—Rev. A, 23-Apr-01
www.vishay.com
5
TEST CIRCUITS
DVO = measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is Q = CL x DVO
FIGURE 5. Charge Injection
CL
1000 pF
S
VO
D
Vg
–15 V
IN
V+
V–
3 V
Rg
+15 V
WR
VO
DVO
INX OFF
OFF
ON
FIGURE 6. Off Isolation
FIGURE 7. Channel-to-Channel Crosstalk
S
IN
RL
D
Rg = 50 W
VS
VO
2.4 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
V+
–15 V
GND
V–
C
+15 V
S1
IN1
0V
RL
VO
0V
+15 V
–15 V
GND
V+
V–
NC
C
50
W
VS
IN2
S2
Rg = 50 W
D1
D2
XTALK Isolation = 20 log
VS
VO
C = RF bypass
WR
C = RF bypass
WR
APPLICATION HINTSa
V+
Positive Supply
Voltage
(V)
V–
Negative Supply
Voltage
(V)
GND
(V)
WR
(V)
VIN
Logic Input
Voltage
VINH(min)/VINL(max)
(V)
VS or VD
Analog Voltage
Range
(V)
15
10
–15
–10
–5
0
2.4/0.8
–15 to 15
–10 to 10
–5 to 10
Notes:
a.
Application Hints are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed and not subject to production testing.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GRM32AR61C106KAB7L | CAP CER 10UF 16V 10% X5R 1210 |
| GRM32ER72A105MA01K | CAP CER 1UF 100V 20% X7R 1210 |
| GRM32ER72A105KA01K | CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210 |
| RPE5C1H392J2M1A03A | CAP CER 3900PF 50V 5% RADIAL |
| GRM31CR61A226KE19L | CAP CER 22UF 10V 10% X5R 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DG221CJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPST Analog Switch |
| DG221CK | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPST Analog Switch |
| DG221DY | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SPST Analog Switch |
| DG223NGB | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:100A/2P GD Fusible Safety Switch w/Neut 240V Nema 1 |
| DG224NRK | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:200A/2P GD Fusible Safety Switch w/Neut 240V Nema 3R |
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