参数资料
| 型号： | DG2532DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH LV DUAL SPST 10MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 600 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
www.vishay.com
2
Document Number: 72742
S-71009–Rev. C, 14-May-07
Vishay Siliconix
DG2531/DG2532
Notes:
a. Signals on NC, NO, or COM or IN exceeding V+ will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b. All leads welded or soldered to PC Board.
c. Derate 4.0 mW/°C above 70 °C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Limit
Unit
Reference V+ to GND
- 0.3 to + 6
V
IN, COM, NC, NOa
- 0.3 to (V+ + 0.3)
Continuous Current (NO, NC, COM)
± 300
mA
Peak Current (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle)
± 500
Storage Temperature
(D Suffix)
- 65 to 150
°C
PESD per Method 3015.7
> 2
kV
Power Dissipation (Packages)b
MSOP-10c
320
mW
SPECIFICATIONS (V+ = 3 V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Otherwise Unless Specified
V+ = 3 V, ± 10 %,VIN = 0.5 V or 1.4 V
e
Tempa
Limits
- 40 to 85 °C
Unit
Minb
Typc
Maxb
Analog Switch
Analog Signal Ranged
VNO, VNC,
VCOM
Full
0
V+
V
On-Resistance
rON
V+ = 2.7 V, VCOM = 0.6 V/1.5 V
INO, INC = 100 mA
Room
Full
0.4
0.6
0.7
Ω
rON Flatness
d
rON
Flatness
Room
0.12
0.2
On-Resistance
Match Between Channelsd
Δr
DS(on)
Room
0.05
Switch Off Leakage Current
INO(off)
INC(off)
V+ = 3.3 V,
VNO, VNC = 0.3 V/3 V, VCOM = 3 V/0.3 V
Room
Full
- 1
- 10
1
10
nA
ICOM(off)
Room
Full
- 1
- 10
1
10
Channel-On Leakage Current
ICOM(on)
V+ = 3.3 V, VNO, VNC = VCOM = 0.3 V/3 V
Room
Full
- 1
- 10
1
10
Digital Control
Input High Voltaged
VINH
Full
1.4
V
Input Low Voltage
VINL
Full
0.5
Input Capacitance
Cin
Full
7
pF
Input Current
IINL or IINH
VIN = 0 or V+
Full
1
A
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PDF描述 |
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