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参数资料
| 型号： | DG308BDJ |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Improved Quad CMOS Analog Switches |
| 中文描述： | 改进的四CMOS模拟开关 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | DG308BDJ |
DG308B/309B
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4-2
Document Number: 70047
S-52896—Rev. E, 14-Jul-97
Voltages Referenced to V–
V+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Digital Inputs
a
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Current, Any Terminal
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Current, S or D
(Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle max)
Storage Temperature
(AK, Suffix)
(DJ, DY, DQ Suffix)
44 V
25 V
(V–) –2 V to (V+) +2 V
or 30 mA, whichever occurs first
30 mA
100 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
–65 to 150 C
–65 to 125 C
Power Dissipation (Package)
b
16-Pin Plastic DIP
c
16-Pin Narrow SOIC and TSSOP
d
16-Pin CerDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Notes:
a.
Signals on S
, D
, or IN
exceeding V+ or V– will be clamped by internal
diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b.
All leads welded or soldered to PC Board.
c.
Derate 6.5 mW/ C above 75 C
d.
Derate 7.6 mW/ C above 75 C
e.
Derate 12 mW/ C above 75 C
470 mW
640 mW
900 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Test Conditions
Unless Specified
A Suffix
–55 to 125 C
D Suffix
–40 to 85 C
Parameter
Symbol
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
Temp
b
Typ
c
Min
d
Max
d
Min
d
Max
d
Unit
Analog Switch
Analog Signal Range
e
V
ANALOG
Full
V
Drain-Source On-Resistance
r
DS(on)
V
=
D
10 V, I
= 1 mA
S
Room
Full
45
r
DS(on)
Match
r
DS(on)
Room
2
Source Off Leakage Current
I
S(off)
V
S
=
14 V, V
D
=
14 V
Room
Full
0.01
–5
0.5
5
Drain Off Leakage Current
I
D(off)
V
D
=
14 V, V
S
=
14 V
Room
Full
0.01
–5
0.5
5
nA
Drain On Leakage Current
I
D(on)
V
S
= V
D
=
14 V
Room
Full
0.02
–0.5
–10
0.5
10
Digital Control
Input Voltage High
V
INH
Full
V
Input Voltage Low
V
INL
Full
Input Current
I
INH
or I
INL
V
INH
or V
INL
Full
–
–
A
Input Capacitance
C
IN
Room
5
pF
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
t
ON
V
S
= 3 V, See Figure 2
Room
ns
Turn-Off Time
t
OFF
Room
Charge Injection
Q
C
L
= 1000 pF, V
g
= 0 V,
R
g
= 0
Room
1
pC
Source-Off Capacitance
C
S(off)
V
S
= 0 V, f = 1 MHz
Room
5
Drain-Off Capacitance
C
D(off)
Room
5
pF
Channel On Capacitance
C
D(on)
V
D
= V
S
= 0 V, f = 1 MHz
Room
16
Off Isolation
OIRR
C
= 15 pF, R
= 50
V
S
= 1 V
RMS
, f = 100 kHz
Room
90
dB
Channel-to-Channel
Crosstalk
X
TALK
Room
95
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