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参数资料
| 型号： | DG308BDJ |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Improved Quad CMOS Analog Switches |
| 中文描述： | 改进的四CMOS模拟开关 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | DG308BDJ |
DG308B/309B
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4-4
Document Number: 70047
S-52896—Rev. E, 14-Jul-97
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
0
10
20
30
40
50
–15
–10
–5
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
5 V
r
DS(on)
vs. V
D
and Power Supply Voltages
V
D
– Drain Voltage (V)
10 V
15 V
20 V
r
DS(on)
vs. V
D
and Temperature
V
D
– Drain Voltage (V)
125 C
85 C
25 C
–55 C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS(on)
vs. V
D
and Single Power Supply Voltages
250
V
D
– Drain Voltage (V)
30
20
10
60
70
80
90
100
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
I
D(on)
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
Analog Voltage
Leakage Currents vs. Analog Voltage
I
–55
25
45
5
–15
65
–35
85
105
125
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
14 V
I
S(off)
, I
D(off)
1 nA
10 pA
1 pA
Temperature ( C)
–15
–10
–5
0
5
10
15
30
20
10
0
–10
–20
–30
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
Analog Voltage (V)
Q
Q
S,
Q
D
– Charge Injection vs. Analog Voltage
I
100 pA
Leakage Currents vs. Temperature
r
)
r
)
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
–40
I
S(off)
, I
D(off)
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25 C
r
)
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PDF描述 |
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