参数资料
| 型号： | DG309BDQ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD CMOS 16TSSOP |
| 标准包装： | 360 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NO |
| 导通状态电阻： | 160 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
Document Number: 70047
S11-0303-Rev. G, 28-Feb-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG308B, DG309B
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
RDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
RDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
Leakage Currents vs. Temperature
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
30
20
10
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
02468
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
VD - Drain Voltage (V)
250
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
- 55
25
45
5
- 15
65
- 35
85
105 125
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VS, VD = ± 14 V
IS(off), ID(off)
1 nA
10 pA
1 pA
Temperature (°C)
I S,
I D
-Current
100 pA
RDS(on) vs. VD and Temperature
Leakage Currents vs. Analog Voltage
QS, QD - Charge Injection vs. Analog Voltage
0
10
20
30
40
50
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
60
70
80
90
100
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
ID(on)
- 20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
20
Analog Voltage
I S,
I D
-Current
(pA)
40
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
- 40
IS(off), ID(off)
V+ = 22 V
V- = - 22 V
TA = 25 °C
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
(pC)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DG309BDY-T1 | 功能描述:模拟开关 IC Quad Mono SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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