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参数资料
| 型号： | DG3157ADN-T1-E4 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPDT 300MHZ 6-MINIQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 15 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-迷你型QFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG3157ADN-T1-E4DKR |
www.vishay.com
2
Document Number: 68628
S-81944-Rev. C, 25-Aug-08
Vishay Siliconix
DG3157A, DG3157B
Notes:
a. Signals on A, or B or S exceeding V+ will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b. All leads welded or soldered to PC board.
c. Derate 2.0 mW/°C above 70 °C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Limit
Unit
Reference V+ to GND
- 0.3 to + 6
V
S, A, Ba
- 0.3 to (V+ + 0.3)
Continuous Current (Any terminal)
± 50
mA
Peak Current (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle)
± 200
Storage Temperature
D-Suffix
- 65 to 150
°C
Power Dissipation (Packages)b
miniQFN-6c
160
mW
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 3.0 V, VSL = 0.5 V, VSH = 2.0 V
e
Temp.a
Limits
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.b
Typ.c
Max.b
DC Characteristics
High Level Input Voltage
VSH
V+ = 1.65 to 1.95 V
Full
1.2
V
V+ = 2.0 to 2.6 V
1.4
V+ = 2.7 to 3.6 V
2.0
V+ = 4.5 to 5.5 V
2.4
Low Level Input Voltage
VSL
V+ = 1.65 to 1.95 V
0.3
V+ = 2.0 to 2.6 V
0.4
V+ = 2.7 to 3.6 V
0.5
V+ = 4.5 to 5.5 V
0.8
On-Resistance
RON
V+ = 4.5 V
VBN = 0 V, IA = 30 mA
Full
4.8
7
Ω
VBN = 2.4 V, IA = - 30 mA
5.7
12
VBN = 4.5 V, IA = - 30 mA
10.3
15
V+ = 3.0 V
VBN = 0 V, IA = 24 mA
5.9
9
VBN = 3.0 V, IA = - 24 mA
13.7
20
V+ = 2.3 V
VBN = 0 V, IA = 8 mA
712
VBN = 2.3 V, IA = - 8 mA
16.2
30
V+ = 1.65 V
VBN = 0 V, IA = 4 mA
9.2
20
VBN = 1.65 V, IA = - 4 mA
24
50
On-Resistance Flatness
RFLAT
0 < VBN < V+
V+ = 4.5 V, IA = - 30 mA
Room
8
V+ = 3.0 V, IA = - 24 mA
13
V+ = 2.3 V, IA = - 8 mA
24
V+ = 1.65 V, IA = - 4 mA
89
On-Resistance Matching
Between Channels
ΔR
ON
V+ = 4.5 V, VBN = 3.15 V, IA = - 30 mA
0.8
V+ = 3.0 V, VBN = 2.1 V, IA = - 24 mA
0.1
V+ = 2.3 V, VBN = 1.6 V, IA = - 8 mA
0.2
V+ = 1.65 V, VBN = 1.15 V, IA = - 4 mA
0.9
Input Leakage Current
IS
V+ = 5.5 V,
VA = 5.5 V,
VS = 0.8 V, 2.4 V
DG3157B
Full
- 1.0
1.0
A
DG3157A
- 1.0
2.5
7.0
Off Stage Switch Leakage
IBN(off)
V+ = 5.5 V, VA/VB = 0 V/5.5 V
Room
Full
- 0.1
- 1.0
0.1
1.0
On State Switch Leakage
IBN(on)
V+ = 5.5 V, VA/VB = 0 V/5.5 V
Room
Full
- 0.1
- 1.0
0.1
1.0
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DG3157B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Low Voltage, 300-MHz - 3 dB Bandwidth, SPDT Analog Switch with Power Down Protection (2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch) |
| DG3157BDN-T1-E4 | 功能描述:模拟开关 IC SPDT Low Voltage w/ Power Down Prot RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG3157DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Speed, Low rON, SPDT Analog Switch (2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch) |
| DG3157DL-T1 | 功能描述:模拟开关 IC High Speed SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG3157DL-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC High Speed SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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