参数资料
| 型号： | DG3517DB-T5-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10MICRO |
| 标准包装： | 3,000 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 2.9 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 10-Micro Foot?（4x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
www.vishay.com
6
Document Number: 73404
S11-1185-Rev. D, 13-Jun-11
Vishay Siliconix
DG3516, DG3517
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Product is End of Life
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Leakage Current vs. Temperature
Switching Time vs. Temperature
Switching Threshold vs. Supply Voltage
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
1
10 000
Temperature (°C)
V+ = 3.0 V
100
1000
Leakage
Current
(pA)
ICOM(on)
INO(off), INC(off)
10
ICOM(off)
0
5
10
15
20
25
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
/
t
ON
-
Switching
T
ime
(ns)
t OFF
tOFF V+ = 4.2 V
Temperature (°C)
tON V+ = 2.7 V
tOFF V+ = 2.7 V
tON V+ = 4.2 V
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
123
456
V+ - Supply Voltage (V)
-
Switching
Threshold
(V)
V
T
Leakage vs. Analog Voltage
Insertion Loss, Off-Isolation
Crosstalk vs. Frequency
Charge Injection vs. Analog Voltage
- 800
- 600
- 400
- 200
0
200
400
600
800
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
VCOM, VNO, VNC - Analog Voltage (V)
Leakage
Current
(pA)
V+ = 3.6 V
ICOM(on)
ICOM(off)
INO(off), INC(off)
100 K
- 90
10M
10
- 70
- 50
100M
1G
1M
Frequency (Hz)
(dB)
Loss
,OIRR,
X
T
ALK - 30
- 10
OIRR
XTALK
V+ = 3.0 V
RL
Loss
- 10
- 8
- 6
- 4
- 2
0
2
4
6
8
10
0
1234
5
VCOM - Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
Injection
(pC)
V+ = 3.0 V
V+ = 2.0 V
V+ = 5.0 V
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