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参数资料
| 型号： | DG419BDQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ANALOG SWITCH CMOS 8MSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 35 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG419BDQ-T1-E3DKR |
Document Number: 72107
S09-1261-Rev. D, 13-Jul-09
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG417B, DG418B, DG419B
SCHEMATIC DIAGRAM Typical Channel
Figure 1.
Level
Shift/
Drive
VIN
VL
S
V+
GND
V -
D
V -
V+
SPECIFICATIONSa
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V
VL = 5 V, VIN = 2.4 V, 0.8 V
f
Temp.b
Typ.c
A Suffix
- 55 °C to 125 °C
D Suffix
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Analog Switch
Analog Signal Rangee
VANALOG
Full
- 15
15
- 15
15
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
IS = - 10 mA, VD = ± 12.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
Room
Full
15
25
34
25
29
Ω
Switch Off Leakage Current
IS(off)
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
VD = ± 15.5 V, VS = ± 15.5 V
Room
Full
- 0.1
- 0.25
- 20
0.25
20
- 0.25
- 5
0.25
5
nA
ID(off)
DG417B
DG418B
Room
Full
- 0.1
- 0.25
- 20
0.25
20
- 0.25
- 5
0.25
5
DG419B
Room
Full
- 0.1
- 0.75
- 60
0.75
60
- 0.75
- 12
0.75
12
Channel On Leakage Current
ID(on)
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
VS = VD = ± 15.5 V
DG417B
DG418B
Room
Full
- 0.4
- 0.4
- 40
0.4
40
- 0.4
- 10
0.4
10
DG419B
Room
Full
- 0.4
- 0.75
- 60
0.75
60
- 0.75
- 12
0.75
12
Digital Control
Input Current, VIN Low
IIL
Full
- 0.5
0.5
- 0.5
0.5
A
Input Current, VIN High
IIH
Full
- 0.5
0.5
- 0.5
0.5
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = ± 10 V, See Switching
Time Test Circuit
DG417B
DG418B
Room
Full
62
89
106
89
99
ns
Turn-Off Time
tOFF
DG417B
DG418B
Room
Full
53
80
88
80
86
Transition Time
tTRANS
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = ± 10 V, VS2 = ± 10 V
DG419B
Room
Full
60
87
96
87
93
Break-Before-Make
Time Delay
tD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = ± 10 V
DG419B
Room
16
3
Charge Injection
Q
CL = 10 nF
Vgen = 0 V, Rgen = 0 Ω
Room
38
pC
Off Isolatione
OIRR
RL = 50 Ω, CL = 5 pF,
f = 1 MHz
Room
- 82
dB
Channel-to-Channel
Crosstalke
XTALK
DG419B
Room
- 88
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参数描述 |
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| DG419BDQ-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:Analog Switch / Multiplexer (Mux) IC |
| DG419BDY | 功能描述:模拟开关 IC Quad Mono CMOS SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG419BDY-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Single SPDT 20/25V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG419BDY-T1 | 功能描述:模拟开关 IC Quad Mono CMOS SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG419BDY-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Single SPDT 20/25V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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