参数资料
型号: DG419BDQ-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 12/16页
文件大小: 0K
描述: IC ANALOG SWITCH CMOS 8MSOP
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 1 x SPDT
导通状态电阻: 35 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 12V,±15V
电流 - 电源: 1µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 8-MSOP
包装: 标准包装
其它名称: DG419BDQ-T1-E3DKR
Document Number: 72107
S09-1261-Rev. D, 13-Jul-09
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG417B, DG418B, DG419B
TYPICAL CHARACTERISTICS TA = 25 °C, unless otherwise noted
On-Resistance vs. VD and Unipolar Power Supply Voltage
On-Resistance vs. VD and Temperature
Leakage vs. Analog Voltage
0
50
100
150
200
250
300
04
8
12
16
20
V+ = 3 V
VL = 3 V
V+ = 5 V
TA = 25 °C
VL = 5 V
R
DS(on)
-
)
e
c
n
at
si
s
e
R-
n
O
e
cr
u
o
S-
ni
ar
D
VD - Drain Voltage (V)
V+ = 8 V
V+ = 12 V
V+ = 15 V
V+ = 20 V
5
10
15
20
25
30
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
- 55 °C
V ± = ± 15 V
VL = 5 V
25 °C
85 °C
R
DS(on)
-
)
e
c
n
at
si
s
e
R-
n
O
e
cr
u
o
S-
ni
ar
D
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
- 100
- 80
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
-15
- 10
- 5
0
5
10
15
VD or VS - Drain or Source Voltage (V)
V ± = ± 15 V
VL = 5 V
TA = 25 °C
I D
I
,
S
)
A
p(
IS(off)
ID(off)
ID(on)
On-Resistance vs. VD and Dual Supply Voltage
On-Resistance vs. VD and Temperature
Supply Current vs. Input Switching Frequency
5
10
15
20
25
30
35
40
- 20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
20
e
(
Ω
)
c
n
at
si
s
e
R-
n
O
e
cr
u
o
S-
ni
ar
R
DS(on)
-
D
VD - Drain Voltage (V)
TA = 25 °C
± 5 V
± 8 V
± 10 V
± 15 V
± 20 V
± 12 V
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0246
8
10
12
- 55 °C
25 °C
85 °C
R
DS(on)
-
)
e
c
n
at
si
s
e
R-
n
O
e
cr
u
o
S-
ni
ar
D
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
V+ = 12 V
V- = 0 V
VL = 5 V
Input Switching Frequency (Hz)
10
100
1 K
10 K
100 K
1 M
10 M
100 p
10 n
100 n
1 m
100 m
1
10
100
)
A
n(
t
n
er
r
u
C
yl
p
u
S
+
-
I
10 m
1 n
V ± = ± 15 V
VL = 5 V
IL
I+, I-
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DG419BDY-E3 功能描述:模拟开关 IC Single SPDT 20/25V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻(最大值):0.1 Ohms 切换电压(最大): 开启时间(最大值): 关闭时间(最大值): 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16
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