参数资料
型号: DG419DY-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 12/16页
文件大小: 0K
描述: IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 1 x SPDT
导通状态电阻: 40 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 12V,±15V
电流 - 电源: 1nA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: DG419DY-T1-E3DKR
Document Number: 70051
S10-1528-Rev. G, 19-Jul-10
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG417, DG418, DG419
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
RDS(on) vs. VD and Supply Voltage
Leakage Currents vs. Analog Voltage
R
DS(on)
(
)
50
40
30
0
- 20
- 15
20
10
- 10
- 5
5
15
10
0
ID = - 10 mA
± 10 V
± 15 V
± 20 V
± 12 V
± 8 V
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
I(pA)
30
20
- 30
- 15
- 10
15
10
0
- 5
0
5
10
- 10
- 20
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
DG417/418: ID(off), IS(off)
DG419: IS(off)
DG417/418: ID(on)
DG419: ID(off), ID(on)
VD or VS - Drain or Source Voltage (V)
RDS(on) vs. Temperature
Drain Charge Injection
R
DS(on)
(
)
40
30
0
- 15
- 10
15
20
- 5
0
5
10
25 °C
- 55 °C
TA = 125 °C
VD - Drain Voltage (V)
Q
(pC)
200
150
100
- 50
- 15
- 10
15
50
0
- 5
0
5
10
100 pF
500 pF
1 nF
V+ = 16.5 V
V- = - 16.5 V
VL = 5 V
VIN = 0 V
CL = 10 nF
VS - Source Voltage (V)
Input Switching Threshold vs. Supply Voltages
(V)
TH
V
3.5
3.0
2.5
0
510
40
2.0
1.5
1.0
0.5
15
20
25
30
35
(V+)
VL = 5 V
VL = 7 V
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PDF描述
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140-0000-973 CONN JACK SMA END LAUNCH FIXTURE
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参数描述
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