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参数资料
| 型号： | DG419DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 40 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 1nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG419DY-T1-E3DKR |
www.vishay.com
8
Document Number: 70051
S10-1528-Rev. G, 19-Jul-10
Vishay Siliconix
DG417, DG418, DG419
TEST CIRCUITS
Figure 5. Charge Injection
CL
10 nF
D
Rg
VO
V+
S
V-
3 V
IN
VL
- 15 V
GND
- 15 V
+ 5 V
OFF
ON
OFF
VO
INX
Q =
VO x CL
Figure 6. Crosstalk (DG419)
Rg = 50
IN
0.8 V
VL
V+
V-
XTALK Isolation = 20 log
VS
VO
GND
S2
VS
VO
S1
RL
D
C = RF bypass
50
+ 15 V
- 15 V
C
+ 5 V
C
Figure 7. Off Isolation
V+
S
VL
Rg = 50
D
- 15 V
VS
GND
V-
C
RL
IN
VO
0 V, 2.4 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
+ 5 V
C
+ 15 V
C
Figure 8. Insertion Loss
S
VS
VO
0 V, 2.4 V
IN
RL
VL
D
Rg = 50
+ 5 V
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
V+
C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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