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参数资料
| 型号： | DG542DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 视频开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 60 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 18 V，±10 V ~ 15 V |
| 电流 - 电源： | 3.5mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 70055
S11-1429–Rev. H, 18-Jul-11
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG540, DG541, DG542
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Notes:
a. All leads welded or soldered to PC Board.
b. Derate 6.5 mW/°C above 25 °C.
c. Derate 7 mW/°C above 25 °C.
d. Derate 10 mW/°C above 75 °C.
e. Derate 12 mW/°C above 75 °C.
SCHEMATIC DIAGRAM (typical channel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
V+ to V-
- 0.3 to 21
V
V+ to GND
- 0.3 to 21
V- to GND
- 19 to + 0.3
Digital Inputs
(V-) - 0.3 to (V+) + 0.3
or 20 mA, whichever occurs first
VS, VD
(V-) - 0.3 to (V+) + 14
or 20 mA, whichever occurs first
Continuous Current (Any Terminal)
20
mA
Current, S or D (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle max)
40
Storage Temperature
(AP Suffix)
- 65 to 150
°C
(DJ, DN, DY Suffixes)
- 65 to 125
Power Dissipation (Package)a
16-Pin Plastic DIPb
470
mW
20-Pin Plastic DIPc
800
16-Pin Narrow Body SOICd
640
20-Pin PLCCd
800
16-, 20-Pin Sidebraze DIPe
900
Figure 1.
V+
IN
V-
GND
-
+
S
D
VREF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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