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参数资料
| 型号： | DG542DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 视频开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 60 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 18 V，±10 V ~ 15 V |
| 电流 - 电源： | 3.5mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 70055
S11-1429–Rev. H, 18-Jul-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG540, DG541, DG542
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
Supply Curent vs. Temperature
RDS(on) vs. Drain Voltage
On Capacitance
Temperature (°C)
I(mA)
6
5
4
3
2
1
0
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105
125
IGND
I-
I+
VD – Drain Voltage (V)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
- 3
- 1
1
3
5
7
9
11
V+ = 15 V
V- = - 3 V
125 °C
- 55 °C
r DS(on)
–
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
25 °C
VD – Drain Voltage (V)
C
(pF)
22
20
18
16
14
12
10
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
ID(off), IS(off) vs. Temperature
V+ Constant
V- Constant
Off Isolation
Temperature (°C)
0
- 55
125
100 nA
10 nA
1 nA
100 pA
10 pA
1 pA
0.1 pA
- 25
25
50
75
100
–
Leakage
I
,I
S(of
f)
D(of
f)
V- – Negative Supply (V)
V+ – Positive Supply (V)
42
40
38
36
34
32
30
20
18
10 11 12 13 14 15 16
42
40
38
36
34
32
30
20
18
- 5
- 4
- 3
- 2
- 1
0
V+ = 12 V
V+ = 15 V
V- = - 5 V
V- = - 1 V
V+ = 10 V
R
DS(on)
–
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
V- = - 3 V
f – Frequency (MHz)
ISO
(dB)
1
10
100
- 110
- 100
- 90
- 80
- 70
- 60
- 50
- 40
- 30
- 20
- 10
DG541
DG540
DG542
RL = 75 Ω
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