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参数资料
| 型号： | DG613DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD NO/NC 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x DPDT |
| 导通状态电阻： | 45 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 18 V，±10 V ~ 15 V |
| 电流 - 电源： | -1µA，1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG613DY-T1-E3DKR |
www.vishay.com
6
Document Number: 70057
S11-0154-Rev. I, 31-Jan-11
Vishay Siliconix
DG611, DG612, DG613
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Input Switching Threshold vs. VL
RDS(on) vs. VD and Temperature
Leakage Currents vs. Temperature
0
5
10
15
6
5
4
3
2
1
0
VL - Logic Supply Voltage (V)
V+ = 15 V
V- = - 3 V
V
TH
-Logic
Input
V
oltage
(V)
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
- 4
- 2
02468
10
12
400
350
300
250
200
150
100
50
0
VD - Drain Voltage (V)
25 °C
V+ = 15 V
V- = - 3 V
IS = - 1 mA
125 °C
- 55 °C
- 55
0
125
Temperature (°C)
- 25
25
50
75
100
10 nA
0.1 pA
100 pA
10 pA
1 pA
IS(off), ID(off)
ID(on)
1 nA
-Leakage
(A)
I
,I
S(off)
D(off)
Switching Times vs. Temperature
Charge Injection vs. Analog Voltage
- 3 dB Bandwidth/Insertion Loss vs. Frequency
16
14
12
10
8
6
4
2
0
24
22
20
18
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105
125
V+ = 15 V
V- = - 3 V
RL = 300
CL = 10 pF
tON
tOFF
T
ime
(ns)
Temperature (°C)
Charge
(pC)
VANALOG - Analog Voltage (V)
20
10
0
- 10
- 20
- 3 - 2 - 1
0123
456
789
10
Qd
Qs
V+ = 15 V
V- = - 3 V
Inser
tion
Loss
(dB)
1
10
100
1000
- 24
- 20
- 16
- 12
- 8
- 4
0
f - Frequency (MHz)
RL = 50
- 3 dB Point
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