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参数资料
| 型号： | DHG20I1200HA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 1200V 20A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.24V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 200ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
   DHG 20 I 1200 HA preliminary 200 300 400 500 600 700 1 2 3 4 5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 40 Qrr [μC] IF [A] VF [V] diF/dt [A/μs] TVJ =125°C TVJ = 25°C TVJ=125°C VR = 600 V 10 A 20 A 40 A Fig. 1 Typ. Forward current versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrrvs. di/dt 200 300 400 500 600 700 0 5 10 15 20 25 30 35 IRR [A] diF/dt [A/μs] TVJ= 125°C VR =600V 10 A 20 A 40 A Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt 200 300 400 500 600 700 0 100 200 [ns] 300 400 500 600 700 trr diF/dt [A/μs] 10 A 20 A 40 A TVJ = 125°C VR =600 V Fig. 4 Typ. recovery time trrversus di/dt Fig. 5 Typ. recovery energy Erec versus di/dt 200 300 400 500 600 700 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 Erec [mJ] diF/dt [A/μs] TVJ=125°C VR = 600 V 10 A 20 A 40 A 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 tp [s] ZthJC [K/W] Fig. 6 Typ. transient thermal impedance Ri t i 1 0.231 0.0005 2 0.212 0.004 3 0.19 0.02 4 0.267 0.15 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110526a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DHG25K | 制造商:Bomar Interconnect Products Inc 功能描述: |
| DHG25S | 制造商:Bomar Interconnect Products Inc 功能描述: |
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