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参数资料
| 型号： | DHG30I600HA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.36V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
     DHG 30 I 600HA advanced Sonic-FRD Symbol Definition R a t i n g s Features / Advantages: ● Planar passivated chips ● Very low leakage current ● Very short recovery time ● Improved thermal behaviour ● Very low Irm-values ● Very soft recovery behaviour ● Avalanche voltage rated for reliable operation ● Soft reverse recovery for low EMI/RFI ● Low Irm reduces: - Power dissipation within the diode - Turn-on loss in the commutating switch Conditions Unittyp. max. IFSM IR A μA V 200 IFAV A VF 2.36 RthJC 0.70 K/W VR = 600 1 3 min. 30 =10ms (50 Hz), sine Applications: ● Antiparallel diode for high frequency switching devices ● Antisaturation diode ● Snubber diode ● Free wheeling diode ● Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) ● Uninterruptible power supplies (UPS) VRRM V 600 50 TVJ = 25 V °C TVJ = 125 °C mA 5 Package: Part number (Marking on product) VR = 600 TVJ = 25 °C IF =A30 V TC =85°C Ptot 180 W TC 25 °C = A IRM 12 -diF/dt = 600 A/μs IF =A;30 VR =V400 A t rr EAS tbd mJ =A;L = μH100 TVJ = 25 °C IAS IAR A VA = 1.5·VR typ.; tbd f = 10 kHz TVJ 150 °C -55 High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode VRRM = IFAV trr = = 600 V 30 A 35 ns TVJ =45°C DHG 30 I 600HA V tp max. repetitive reverse voltage reverse current forward voltage average forward current thermal resistance junction to case virtual junction temperature total power dissipation max. forward surge current max. reverse recovery current non-repetitive avalanche energy repetitive avalanche current reverse recovery time TVJ = 25 °C CJ pF junction capacitance VR =V;300 f = 1 MHz TVJ =°C25 VF0 V 1.31 TVJ =150°C rF 28.6 m? TO-247AD V 2.20 30 125TVJ =°C IF =A V IF =A60 IF =A60 ns 35 ns ● Industry standard outline ● Epoxy meets UL 94V-0 ● RoHS compliant TVJ =25 °C TVJ =125 °C TVJ =25 °C TVJ =125 °C rectangular, d = 0.5 threshold voltage slope resistance for power loss calculation only IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2006 IXYS all rights reserved 0614 * Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG30I600PA | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-220AC |
| DHG30IM600PC | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-263AB |
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| DHG5I600PM | DIODE FRD SGL 600V 5A TO220ACFP |
| DHG60I1200HA | DIODE FAST 1200V 60V TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG30I600PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG30IM600PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG34AZM152K | 制造商:n/a 功能描述:DHG34AZM152K MURATA S5MXA |
| DHG40C1200HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG40C600HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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