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参数资料
| 型号： | DHG30I600PA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.37V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
         DHG 30 I 600 PA preliminary ns Sonic Fast Recovery Diode Symbol Definition R a t i n g s Features / Advantages: typ. max. IFSM IR A V 200 IFAV A VF 2.27 RthJC 0.70 K/W VR = 600 1 3 min. 30 t = 10 ms (50 Hz), sine Applications: VRRM V 600 V°C= 25 50 μA TVJ TVJ =mA125 2 °C Package: Part number VR = 600 TVJ =°C25 IF =A30 V TC = 85°C rectangular 0.5d = Ptot 180 W TC = 25 °C TVJ 150 °C -55 VRRM = IFAV = 600 V 30 A TVJ = 45°C DHG 30 I 600 PA V max. repetitive reverse voltage reverse current forward voltage virtual junction temperature total power dissipation max. forward surge current Conditions Unit 3.14 TVJ =25 °C CJ junction capacitance V = V; TR 400 pFf = 1 MHz = °CVJ 25 VF0 V 1.17 TVJ = 150°C rF 32 m? V 2.24 TVJ =°C125 IF =A30 V 3.23 IF =A60 IF =A60 threshold voltage slope resistance for power loss calculation only Backside: cathode 13 A TVJ =°C25 reverse recovery time A 17 40 60 ns trr = 40 ns ● Housing: TO-220 High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode ●rIndustry standard outline ●rEpoxy meets UL 94V-0 ●rRoHS compliant IRM max. reverse recovery current IF =A;30 VR =V300 T=VJ 125°C -diF/dt =A/μs600 trr TVJ =°C25 T=VJ 125°C 16 thermal resistance junction to case ● Planar passivated chips ● Very low leakage current ● Very short recovery time ● Improved thermal behaviour ● Very low Irm-values ● Very soft recovery behaviour ● Avalanche voltage rated for reliable operation ● Soft reverse recovery for low EMI/RFI ● Low Irm reduces: - Power dissipation within the diode - Turn-on loss in the commutatin g switch ● Antiparallel diode for high frequency switching devices ● Antisaturation diode ● Snubber diode ● Free wheeling diode ● Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) ● Uninterruptible power supplies (UPS) average forward current IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110823a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG30IM600PC | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-263AB |
| DHG5I600PA | DIODE FRD SGL 600V 5A TO-220AC |
| DHG5I600PM | DIODE FRD SGL 600V 5A TO220ACFP |
| DHG60I1200HA | DIODE FAST 1200V 60V TO-247AD |
| DK025L | RECTIFIER 1000V 25A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG30IM600PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG34AZM152K | 制造商:n/a 功能描述:DHG34AZM152K MURATA S5MXA |
| DHG40C1200HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG40C600HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG40C600PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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