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参数资料
| 型号： | DHG30I600PA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.37V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
   DHG 30 I 600 PA preliminary 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0.0 0.2 [μC] 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 40 50 60 Qrr IF [A] VF [V] diF/dt [A/μs] TVJ= 125°C TVJ=25°C 15 A 30 A 60 A Fig. 1 Typ. Forward current versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0 5 10 15 20 25 30 IRM [A] diF/dt [A/μs] 15 A 30 A 60 A Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 0 40 80 120 160 200 trr [ns] diF/dt [A/μs] 15 A 30 A 60 A Fig. 4 Typ. recovery time trr versus di/dt TVJ= 125°C VR =300 V TVJ=125°C VR =300V TVJ= 125°C VR = 300 V Fig. 5 Transient thermal impedance 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 ZthJC [K/W tP [s] Ri t i 0.158 0.0005 0.118 0.004 0.155 0.02 0.269 0.15 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110823a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG30IM600PC | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-263AB |
| DHG5I600PA | DIODE FRD SGL 600V 5A TO-220AC |
| DHG5I600PM | DIODE FRD SGL 600V 5A TO220ACFP |
| DHG60I1200HA | DIODE FAST 1200V 60V TO-247AD |
| DK025L | RECTIFIER 1000V 25A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG30IM600PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG34AZM152K | 制造商:n/a 功能描述:DHG34AZM152K MURATA S5MXA |
| DHG40C1200HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG40C600HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG40C600PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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