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参数资料
| 型号： | DMC2004DWK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA，430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC2004DWKDIDKR |
DMC2004DWK
Electrical Characteristics N-CHANNEL – Q 1
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
1
± 1
V
μ A
μ A
V GS = 0V, I D = 10 μ A
V DS = 16V, V GS = 0V
V GS = ±4.5V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 4)
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
0.5
?
?
?
200
0.5
?
0.4
0.5
0.7
?
?
1.0
0.55
0.70
0.90
?
1.2
V
Ω
mS
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 4.5V, I D = 540mA
V GS = 2.5V, I D = 500mA
V GS = 1.8V, I D = 350mA
V DS =10V, I D = 0.2A
V GS = 0V, I S = 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
150
25
20
pF
pF
pF
V DS = 16V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Electrical Characteristics P-CHANNEL – Q 2
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-20
?
?
?
?
?
?
-1.0
± 1.0
V
μ A
μ A
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -20V, V GS = 0V
V GS = ±4.5V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
V GS(th)
R DS (ON)
-0.5
?
?
0.7
1.1
-1.0
0.9
1.4
V
Ω
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -4.5V, I D = -430mA
V GS = -2.5V, I D = -300mA
1.7
2.0
V GS = -1.8V, I D = -150mA
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 4)
|Y fs |
V SD
200
-0.5
?
?
?
-1.2
mS
V
V DS =10V, I D = 0.2A
V GS = 0V, I S = -115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
175
30
20
pF
pF
pF
V DS = -16V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
4.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMC2004DWK
Document number: DS31114 Rev. 4 - 2
2 of 8
www.diodes.com
September 2007
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMC2004LPK-7 | 功能描述:MOSFET Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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