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参数资料
| 型号： | DMG1023UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.03A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.62nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 59.76pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1023UV-7DIDKR |
DMG1023UV
Package Outline Dimensions
A
SOT563
B
C
Dim
A
B
C
Min
0.15
1.10
1.55
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
1.70 1.60
D
D
-
-
0.50
G
G
H
K
0.90
1.50
0.55
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
K
M
L
M
0.10
0.10
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
DMG1023UV
Document number: DS31975 Rev. 6 - 2
X
5 of 6
www.diodes.com
C2
0.5
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1024UV-7 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 |
| DMG1026UV-7 | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
| DMG1029SV-7 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| DMG2301U-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 |
| DMG2302U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1024UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG1024UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1026UV | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 60V SOT563 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 60V, SOT563 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 60V, SOT563; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:410mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:580mW; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
| DMG1026UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1029SV-7 | 功能描述:MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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