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参数资料
| 型号： | DMG9926USD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 867pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG9926USD-13DIDKR |
DMG9926USD
1.2
1.0
10
0.8
I D = 1mA
1
T A = 25°C
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
0.1
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.01
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
f = 1MHz
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
1,000
T A = 125°C
C iss
100
T A = 85°C
100
C rss
C oss
10
T A = 25°C
1
T A = -55°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
20
0.1
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.1
0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.01
R ? JA = 99°C/W
0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG9926USD
Document number: DS31757 Rev. 5 - 2
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www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN100-7 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 |
| DMN1019UFDE-7 | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
| DMN2004DMK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 |
| DMN2004DWK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 |
| DMN2004K-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG9933USD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG9933USD-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 12V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG9N65CT | 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG9N65CTI | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N-CH MOSFET 650V 9A |
| DM-GR-9 | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
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