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参数资料
| 型号： | DMN2004DWK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004DWKDIDKR |
DMN2004DWK
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
20
±8
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +85°C
I D
I DM
540
390
1.5
mA
A
Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J, T STG
Value
200
625
-65 to +150
Units
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
1
± 1
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = 10μA
V DS = 16V, V GS = 0V
V GS = ± 4.5V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
0.5
?
1.0
V
V DS = V GS , I D = 250μA
0.4
0.55
V GS = 4.5V, I D = 540mA
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
?
200
0.5
0.5
0.7
?
?
0.70
0.9
?
1.4
?
ms
V
V GS = 2.5V, I D = 500mA
V GS = 1.8V, I D = 350mA
V DS =10V, I D = 0.2A
V GS = 0V, I S = 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
150
25
20
pF
pF
pF
V DS = 16V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB.
6. Pulse width ≤ 10μS, Duty Cycle ≤ 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN2004DWK
Document number: DS30935 Rev. 5 - 2
2 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2004K-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2004K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004K_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| DMN2004K-7-F | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification |
| DMN2004TK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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