参数资料
型号: DMN2004DWK-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
其它图纸: SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 550 毫欧 @ 540mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 16V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN2004DWKDIDKR
DMN2004DWK
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim
Min
Max
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
D
0.65 Typ
H
F
H
0.40
1.80
0.45
2.20
K
M
J
K
L
0
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
J
D
F
L
M
α
0.10 0.22
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
X
C2
0.65
DMN2004DWK
Document number: DS30935 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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