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参数资料
| 型号： | DMN2004VK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004VKDIDKR |
DMN2004VK
0
0
1 2 3
4
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
V GS = 5V
Pulsed
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
1
0.1
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
T A = 150 ° C
T A = 25 ° C
T A = 125 ° C
T A = 0 ° C
T A = 85 ° C
T A = -55 ° C
T A = -25 ° C
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
DMN2004VK
Document number: DS30865 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2004WK-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 |
| DMN2005DLP4K-7 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN |
| DMN2005K-7 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2004WK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2004WK_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2004WK-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN2005DLP4K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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