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参数资料
| 型号： | DMN2004WK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 其它图纸： | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004WKDIDKR |
DMN2004WK
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT-323
Dim Min Max Typ
G
H
B C
A
B
C
D
G
H
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
K
M
J
K
0.0 0.10 0.05
0.90 1.00 0.95
J
D
L
L
M
??
0.25 0.40 0.30
0.10 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN2004WK
Document number: DS30934 Rev. 5 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.8
0.7
0.9
1.9
1.0
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2005DLP4K-7 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN |
| DMN2005K-7 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 |
| DMN2005LP4K-7 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| DMN2005LPK-7 | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2005DLP4K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005DLP4K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005DLP4K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2005K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2005K_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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