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参数资料
| 型号： | DMN2075U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2075U-7DIDKR |
DMN2075U
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
B 1.20 1.40 1.30
A
M
L
a
L 1
C
D
F
G
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
H
J
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
D
K
K1
L
L1
M
??
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
0.085 0.150 0.110
8°
F
G
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN2075U
Document number: DS31837 Rev. 4 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 |
| DMN2100UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
| DMN2104L-7 | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 |
| DMN2112SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| DMN2114SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2075UDW-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2100UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2100UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2104L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2104L-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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