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参数资料
| 型号： | DMN2990UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2990UDJ-7DIDKR |
DMN2990UDJ
1.2
1.0
0.8
I D = 1mA
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 250μA
0.6
0.4
T A = 25°C
0.2
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE- DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
50
1,000
Fig. 8 Diodes Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
40
T A = 150°C
100
30
20
10
C iss
C oss
10
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
5
C rss
10 15
20
1
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
8
1
R DS(on)
Limited
6
4
0.1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 100μs
P W = 10μs
P W = 1ms
0.01
2
T J(MAX) = 150°C
V DS = 10V
I D = 250mA
T A = 25°C
Single Pulse
R DS(ON) Limited
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
0.001
0.1
1 10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
DMN2990UDJ
Document number: DS35401 Rev. 7 - 2
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www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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