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参数资料
| 型号： | DMN2990UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2990UDJ-7DIDKR |
DMN2990UDJ
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
0.001
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t)*R θ JA
R θ JA = 356C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01
0.1 1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resisitance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
D
e1
SOT963
L
Dim
A
A1
Min
0.40
0
Max Typ
0.50 0.45
0.05 -
E1
E
c
D
E
E1
0.120
0.95
0.95
0.75
0.180 0.150
1.05 1.00
1.05 1.00
0.85 0.80
e
b (6 places)
c
L
b
0.05
0.10
0.15 0.10
0.20 0.15
e
e1
0.35 Typ
0.70 Typ
A
All Dimensions in mm
A1
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C
C
Dimensions Value (in mm)
C
X
0.350
0.200
Y1
Y (6X)
X (6X)
Y
Y1
0.200
1.100
DMN2990UDJ
Document number: DS35401 Rev. 7 - 2
5 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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