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参数资料
| 型号： | DMN3007LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 64.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2714pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3007LSSDIDKR |
DMN3007LSS
12
11
10
14
V GS = 4.5V
9
8
12
T A = 150°C
T A = 125°C
7
V GS = 4.5V
10
T A = 85°C
6
5
4
3
2
V GS = 10V
8
6
T A = 25°C
T A = -55°C
1
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
4
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
30
1.6
2.4
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
2.0
1.6
1.2
I D = 250μA
I D = 1mA
1.0
0.8
0.8
0.4
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
30
27
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
24
21
18
15
12
9
6
3
0
T A = 25°C
1,000
100
C iss
C oss
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
5 10 15 20 25
30
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
DMN3007LSS
Document number: DS31460 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
April 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3018SSS-13 | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| DMN3024LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK |
| DMN3024LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 |
| DMN3024LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3010LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3020LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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