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参数资料
| 型号： | DMN3007LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 64.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2714pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3007LSSDIDKR |
DMN3007LSS
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 88°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMN3007LSS-13
Case
SO-8
Packaging
2500/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Top View
8
5
Logo
N3007LS
Part no.
YY WW
Xth week: 01 ~ 53
Year: “07” = 2007
1
4
“08 ” = 2008
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
h
7 °~ 9 °
E1
3.85
3.95
45 °
e
1.27 Typ
A2 A A3
Detail ‘A’
h
L
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
DMN3007LSS
Document number: DS31460 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
April 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3018SSS-13 | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| DMN3024LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK |
| DMN3024LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 |
| DMN3024LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3010LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3020LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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