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参数资料
| 型号： | DMN3010LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2096pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3010LSS
20
1.6
1.5
18
1.4
V GS = 10V
I D = 16A
16
T A = 150°C
1.3
14
T A = 125°C
1.2
V GS = 4.5V
I D = 10A
12
T A = 85°C
1.1
1.0
10
8
T A = 25°C
T A = -55°C
0.9
0.8
0.7
6
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
10,000
2.5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
2.2
C iss
1,000
C oss
1.9
I D = 250μA
C rss
1.6
100
1.3
10
1
0
5 10 15 20 25
30
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
100
10
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.01
0.001
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN3010LSS
Document number: DS31259 Rev. 6 - 2
3 of 5
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| DMN3024LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V TO252 (DPAK) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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