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参数资料
| 型号： | DMN3033LDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 755pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3033LDM
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMN3033LDM-7
Case
SOT-26
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
NA5 = Product Type Marking Code
NA5
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: U = 2007)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
SOT-26
B C
Dim Min Max Typ
A 0.35 0.50 0.38
B
C
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
J
D
L
M
α
0.10 0.20 0.15
0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
3.20
1.60
Z
G
C1
X
Y
0.55
0.80
C1
2.40
Y
DMN3033LDM
Document number: DS31345 Rev. 4 - 2
X
4 of 5
www.diodes.com
C2
0.95
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3033LSD-13 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| DMN3033LSN-7 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| DMN3050S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| DMN3051L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3033LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W DIOD 30V 6.9A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8 |
| DMN3033LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3033LSN-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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