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参数资料
| 型号： | DMN3033LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 755pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3033LSNDIDKR |
DMN3033LSN
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
STATIC PARAMETERS
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
30
?
?
V
I D = 250 μ A, V GS = 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 5)
Forward Transconductance (Note 5)
Diode Forward Voltage (Note 5)
T J = 25 ° C
T J = 55 ° C
I DSS
I GSS
V GS(th)
R DS (ON)
g FS
V SD
?
?
1.0
?
?
?
?
?
?
25
36
5
0.7
1
5
± 100
2.1
30
40
?
1.1
μ A
nA
V
m Ω
S
V
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 0V, V GS = ± 20V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 6A
V GS = 4.5V, I D = 5A
V DS = 10V, I D = 8A
I S = 2.25A, V GS = 0V
DYNAMIC PARAMETERS (Note 6)
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
10.5
3.8
2.9
11
7
63
30
755
136
108
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V GS = 5V, V DS = 15V, I D = 6A
V GS = 10V, V DS = 15V, I D = 6A
V GS = 10V, V DS = 15V, I D = 6A
V DD = 15V, V GS = 10V,
R D = 1.8 Ω , R G = 6 Ω
V DS = 10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
Notes:
5. Test pulse width t = 300ms.
6. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 5V
Pulsed
DMN3033LSN
Document number: DS31116 Rev. 6 - 2
2 of 5
www.diodes.com
0
1
2
3
4
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3033LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3050S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3050S-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3051L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3051L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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