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参数资料
| 型号： | DMN3033LSN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| 产品变化通告： | Wire Change 23/May/2008 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 755pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3033LSNDIDKR |
DMN3033LSN
0.06
1,200
f = 1 MHz
0.05
0.04
V GS = 4.5V
1,000
800
V GS = 0V
C iss
600
0.03
400
V GS = 10V
0.02
200
C oss
0.01
0
C rss
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
0
5 10 15 20 25
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
V GS = 10V
1.5
I D = 6A
V GS = 4.5V
I D = 5A
1
0.5
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMN3033LSN
Document number: DS31116 Rev. 6 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3050S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| DMN3051L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3033LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3050S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3050S-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3051L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3051L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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