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参数资料
| 型号： | DMN3050S-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 390pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3050SDIDKR |
DMN3050S
20
20
18
V DS = 5V
16
V GS = 10V
V GS = 4.5V
16
14
12
12
10
8
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
8
6
4
V GS = 3.0V
4
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
2
T A = 25°C
0
V GS = 2.5V
0
T A = -55°C
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4
4.5
0.06
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.07
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.05
0.06
T A = 150°C
0.04
V GS = 4.5V
0.05
T A = 125°C
T A = 85°C
0.03
0.02
0.01
0
V GS = 10V
0.04
0.03
0.02
T A = 25°C
T A = -55°C
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
0
2
4 6 8 10 12
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
f = 1MHz
V GS = 0V
1.6
C iss
1.4
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
100
C oss
1.0
C rss
0.8
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
0
5 10 15 20 25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMN3050S
Document number: DS31503 Rev. 3 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3051L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3051L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3051L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3051LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3051LDM-7 | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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