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参数资料
| 型号： | DMN3050S-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 390pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3050SDIDKR |
DMN3050S
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = 250μA
I D = 1mA
20
18
16
14
12
10
8
1.2
6
T A = 150°C
T A = 125°C
1.0
0.8
4
2
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.01
D = 0.01
R θ JA = 176°C/W
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
-T
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 5)
Part Number
DMN3050S-7
Case
SOT-23
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
3N2 = Product Type Marking Code
3N2
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: V = 2008)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMN3050S
Document number: DS31503 Rev. 3 - 2
3 of 4
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3051L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| DMN3112S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3051L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN3051L-7 | 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3051LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3051LDM-7 | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3052L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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