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参数资料
| 型号： | DMN3052L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3052LDIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMG3402L
DMN3052L
1
0.08
V GS = 4.5 V
0.06
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.04
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
V GS = 10V
0.01
0 4 8 12 16 20
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
1.6
1.6
0
0 4 8 12 16 20
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current & Temperature
1.4
V GS = 10V
I D = 10A
1.4
1.2
1.2
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.0
I D = 1mA
0.8
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
16
T A = 25°C
1,000
C iss
f = 1MHz
12
100
8
C oss
C rss
4
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
10
0
5 10 15 20
25
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
DMN3052L
Document number: DS31406 Rev. 5 - 3
3 of 6
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3052LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3052LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN3110S-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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