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参数资料
| 型号： | DMN3052L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 555pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3052LDIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMG3402L
Package Outline Dimensions
DMN3052L
A
SOT-23
Dim Min Max Typ
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
H
B C
C
D
F
G
H
J
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
K
J
F
G
D
K1
L
M
K
K1
L
M
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
??
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN3052L
Document number: DS31406 Rev. 5 - 3
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
| DMN3110S-7 | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| DMN3112S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3112SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3052LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3052LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3070SSN-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 30V 4.2A, SC59 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CH MOSFET |
| DMN3110S | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.3A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.3A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.3A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:740mW; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3110S-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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