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参数资料
| 型号： | DMN3200U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 650mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3200U
10
1
0.1
0.01
0.001
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max
K
TOP VIEW
G
H
B C
M
A
B
C
D
F
G
H
J
K
0.37 0.51
1.20 1.40
2.30 2.50
0.89 1.03
0.45 0.60
1.78 2.05
2.80 3.00
0.013 0.10
0.903 1.10
J
D
F
L
L
M
0.45 0.61
0.085 0.180
??
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
G
C
Z
G
3.4
0.7
X
Y
C
0.9
1.4
2.0
DMN3200U
Document number: DS31188 Rev. 5 - 2
X
E
4 of 5
www.diodes.com
E
0.9
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN32D2LDF-7 | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
| DMN32D2LFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
| DMN3404L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN32D2LDF | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL |
| DMN32D2LDF-7 | 功能描述:MOSFET 350mw 30V DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN32D2LFB4-7 | 功能描述:MOSFET 350mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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