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参数资料
| 型号： | DMN32D2LDF-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT353 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 39pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN32D2LDF
DMN32D2LDF
Document number: DS31238 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
January 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN32D2LFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
| DMN3404L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| DMN3730U-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN32D2LFB4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN32D2LFB4-7 | 功能描述:MOSFET 350mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN32D2LV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN32D2LV-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3300U | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 2A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:600mW ;RoHS Compliant: Yes |
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