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参数资料
| 型号： | DMP2004VK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 530mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2004VKDIDKR |
DMP2004VK
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Ambient Temperature
-I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 9 Forward Transfer Admittance vs. Drain-Current
-V DS , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
Package Outline Dimensions
A
SOT563
B
C
Dim
A
B
C
Min
0.15
1.10
1.55
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
1.70 1.60
D
D
-
-
0.50
G
G
H
K
0.90
1.50
0.55
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
K
M
L
M
0.10
0.10
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
DMP2004VK
Document number: DS30916 Rev. 6 - 2
4 of 5
www.diodes.com
August 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP2004WK-7 | 功能描述:MOSFET 250mW -20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2012SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| DMP2012SN-7 | 功能描述:MOSFET 20V 700mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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