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参数资料
| 型号： | DMP2104LP-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN |
| 其它图纸： | DFN1411-3 Side DFN1411-3 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XDFN |
| 供应商设备封装： | DFN1411-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2104LPDIDKR |
DMP2104LP
V DS = -10V
T A = 125°C
T A = 25°C
T A = -55°C
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
0.30
I D = 1.0A
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
V GS = -1.8V
600
V GS = -4.5V
500
0.20
T A = 150°C
400
300
0.10
T A = 125°C
T A = 25°C
T A = -55°C
200
100
0.00
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
DMP2104LP
Document number: DS31091 Rev. 6 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2007
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2104V-7 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| DMP2123L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
| DMP2130L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2104V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2104V_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2104V-7 | 功能描述:MOSFET -20V -860mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2104V-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP210DUDJ | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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