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参数资料
| 型号： | DMP21D0UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 590A SOT523 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 590mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.54nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 240mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP21D0UT-7DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UT
Package Outline Dimensions
A
SOT523
Dim Min Max
Typ
A
0.15 0.30
0.22
G
H
B C
B
C
D
G
H
J
0.75 0.85
1.45 1.75
? ?
0.90 1.10
1.50 1.70
0.00 0.10
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
K
N
M
K
L
0.60 0.80
0.10 0.30
0.75
0.22
M
0.10 0.20
0.12
J
D
L
N
α
0.45 0.65 0.50
0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMP21D0UT
D atasheet Number: DS35297 Rev. 2 - 2
X
E
C
6 of 7
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
1.8
0.4
0.51
1.3
0.7
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP21D5UFB4-7B | MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3 |
| DMP2215L-7 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3 |
| DMP2225L-7 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
| DMP2240UDM-7 | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 |
| DMP2240UW-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP21D2UFA-7B | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 |
| DMP21D5UFB4-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP21D5UFD-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2215L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2215L-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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