参数资料
型号: DMP2215L-7
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
产品变化通告: Wire Change 23/May/2008
Encapsulate Change 15/May/2008
产品目录绘图: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 10V
功率 - 最大: 1.08W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMP2215LDIDKR
DMP2215L
1
f = 1 MHz
V GS = 0V
V GS = -2.5V
C iss
0.1
V GS = -4.5V
C oss
0.01
V GS = -10V
C rss
0.01
0.1 1 10
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -4.5V
I D = -3.0A
-I D = 250 μ A
V GS = -10V
I D = -5.0A
V GS = -2.5V
I D = -1.0A
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE DRAIN VOLTAGE (V)
DMP2215L
Document number: DS31125 Rev. 7 - 2
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www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
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DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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