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参数资料
| 型号： | DMP22D6UT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Package Top SOT-523 Package Side 1 SOT-523 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP22D6UTDIDKR |
DMP22D6UT
0
0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Ambient Temperature
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
10
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance vs.
Drain-Source Current
DMP22D6UT
Document number: DS31585 Rev. 2 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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